化成箔电源简介：????

??? 化成箔按照其电压大小可分为低压化成箔（化成电压一般在几十伏到180V）；中压化成箔（化成电压一般在200V伏到500V）;高压化成箔（化成电压一般在500V到1000V）。在化成工艺中都会用到大功率直流电源，即电容器铝箔专用大功率化成电源。

化成箔是生产铝电解电容器的关键原材料。随着电子工业飞速发展，铝电解容器的使用更加广泛，小型化、长寿命、高可靠的要求日益迫切，而化成箔加工技术成为铝电解电容器制造的三大核心技术之一。高比容铝箔属国家鼓励和支持的新型电子功能材料，是制造铝电解电容器的关键原材料，属于中间产品，融合了机械、电子、化工、金属材料等多学科技术及相关产业。腐蚀赋能铝箔的比容是制约大容量铝电解电容器体积的关键所在，高比容、高强度是电容器用化成铝箔今后发展的技术趋势。??
??????化成箔的完整产业链为：精铝（高纯度铝锭）--电子铝箔（光箔）--腐蚀箔――化成箔--铝电解电容器--电子整机。?化成箔的品质关系着电容器的使用寿命，间接的影响电子整机的使用寿命。因此，化成箔的品质对整个电子工业的发展都具有深刻的意义。??

以前各家化成企业主要采用可控硅整流器，该类型的整流器采用了五芯柱变压器、高压大功率晶闸管等技术，并且有恒压、恒流和恒电流密度等特性。但是由于使用工频变压器和工作在低频段，所以整流器体积大、重量重、效率低，性能的进一步提高也受到电体积的限制。20世纪80年代以后，国内外相继研制出第四代直流电源--高频开关电源。变流装置中的普通晶闸管逐渐被新型器件如电力晶体管(GTR)?、场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等取代。以MOSFET和IGBT为功率器件的整流器工作频率提高至20～50KHZ,所以该类整流器又称为高频开关电源。其工作过程是将整流后的直流电源，逆变成高频交流电源，再经整流后获得直流电源。由于采用的是高频率开关工作模式，所以变压器的体积和器件的功耗大大降低，功率因数和运行效率大大提高，是目前整流电源的发展方向。随着IGBT器件功率增加、耐压提高和应用技术的日益成熟，IGBT必将在大多领域中取代晶闸管（SCR），以达到高效、节能目的

我公司于1992年开始从事于高频开关电源的研制和生产，早期主要应用于电镀，电解行业，高频开关电源的功率一般在10KVA以内。随着公司的不断试验和发展，客户对电源功率的需求大大增加，我公司现在已经出货并正常使用的最大功率为800KVA。

我公司的大功率高频开关电源现已不仅仅在表面处理行业里应用，在其他行业也广泛的应用，如：稀土冶炼行业，半导体行业，老化行业，焊接切割行业，真空膜行业等等。

技术参数：

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